На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

МНОГОКРИСТАЛЬНЫЙ МОДУЛЬ

Номер публикации патента: 2091906

Вид документа:  C1  Страна публикации:  RU  Рег. номер заявки:  94015870		Получить полное описание патента

Реферат

Изобретение относится к радиоэлектронной и цифровой электронно-вычислительной технике, в частности к микроэлектронному конструированию, и может быть использовано при проектировании многокристальных модулей на основе полупроводниковых подложек. Сущность изобретения: для увеличения быстродействия, степени интеграции, надежности и расширения температурного диапазона работы многокристального модуля, в многокристальном модуле, который содержит подложку 1, выполненную из полупроводникового материала, например кремния, на поверхности которой установлены внутренние и внешние контактные площадки 2 и 3, соединенные между собой посредством металлизированных проводников, расположенных на соответствующих слоях металлизации, установлены кристаллы микросхем 9, выводы 5 которых соединены с соответствующими внутренними контактными площадками 2, основание, крышку 6 и внешние выводы 7. Полупроводниковая подложка 1 и основания выполнены как единое целое, полупроводниковые структуры выполнены в подложке модуля, крышка 6 модуля установлена непосредственно на подложку 1, внешние выводы подсоединены непосредственно к внешним контактным площадкам 3 подложки и расположены с внешней стороны крышки 6, при этом подложка 1 снабжена укрепляющей пластиной 9 и радиатором охлаждения 11, в модуле применены полимерные клеевые материалы при сборке, конструкционные материалы с согласованными температурными коэффициентами теплового линейного расширения. 9 з.п. ф-лы, 4 ил.

Вернуться к списку