|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| АНАЛИТИЧЕСКАЯ СИСТЕМА МАСС - СПЕКТРОМЕТРА С ЛОВУШКОЙ ИОНОВ |  |
Номер публикации патента: 2075793 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01J049/42 | | Аналоги изобретения: | Самодуров В.Ф., Петров В.В., Диамент Л.Р. Масс-анализатор для исследования атмосферы планеты Венеры: Методы и аппаратура анализа вещества для космических исследований. - Рязань, 1986, с. 12-18. Jonn N Louris and R Graham Cooks Jnstrumentation, Applications and Energe Deposition in Quadrupole Jon-Trap Tandem Mass Spectrometr, Pnd. Chem 1987, v.59, p. 1677-1685. Jonn N Louris, Jonation W Amy e.a.Jnjection of Jns into a Quadrupole Jon Trap Mass Spectrometer. Jntnrn. Journal of Mass Spectr. and jon processes. v.38, 1989, p. 97 - 111. |
| Имя заявителя: | Товарищество с ограниченной ответственностью НПФ "Масс-прибор" (научно-производственная и внедренческая фирма "Масс-спектрометрические приборы для экологии") | | Изобретатели: | Матанцев А.Н.
Перехватов А.В. | | Патентообладатели: | Товарищество с ограниченной ответственностью НПФ "Масс-прибор" (научно-производственная и внедренческая фирма "Масс-спектрометрические приборы для экологии") |
Реферат | |
Назначение: масс-спектрометрия. Сущность изобретения: аналитическая система масс-спектрометра с ловушкой ионов содержит источник заряженных частиц, расположенный напротив первый торцевой гиперболоидный электрод с осевым входным отверстием, первый комплект изоляторов, кольцевой гиперболоидный электрод, второй комплектизоляторов и второй торцевой гиперболоидный электрод с симметричными относительно оси отверстиями для вывода ионов и приемник ионов. Толщина изоляторов второго комплекта больше первого, равного классической толщине, на величину радиуса входного отверстия. Разрешающая способность или чувствительность для двух соседних пиков улучшается вдвое. 1 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента