|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ТЕРМОЭМИССИОННЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ |  |
Номер публикации патента: 2096859 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01J045/00 | | Аналоги изобретения: | Гольдберг Ю.А. Омический контакт металл - полупроводник: методы создания и свойства. Физика и техника полупроводников. - 1994, т. 28, вып. 10, с. 168, 1. Термоэмиссионные преобразователи и низкотемпературная плазма / Под ред. Б.Я.Минкуса и Г.Е.Пикуса. - Наука, 1973, с.54. |
| Имя заявителя: | Государственный научный центр - Физико-энергетический институт | | Изобретатели: | Прилежаева И.Н.
Бологов П.М. | | Патентообладатели: | Государственный научный центр - Физико-энергетический институт |
Реферат | |
Назначение: термоэмиссионное преобразование тепловой энергии в электрическую. Сущность изобретения: в термоэмиссионном преобразователе, содержащем многослойные электроды, как минимум один слой выполнен из дырочного полупроводника, который расположен на поверхности эмиттера, обращенного к коллектору, или на поверхности коллектора, обращенного к эмиттеру. Технический результат: снижение работы выхода электронов на коллекторе, снижение эмиссии электронов с поверхности коллектора, возможность выбора дырочного полупроводника для разного уровня, стабильного в условиях работы преобразователя. 3 з.п. ф-лы, 1 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента