На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
ГЕРМЕТИЧНЫЙ ВВОД (ВАРИАНТЫ) | |
Номер публикации патента: 2058613 | |
Редакция МПК: | 6 | Основные коды МПК: | H01J045/00 | Аналоги изобретения: | 1. Технология термоэмиссионных преобразователей. Под ред. С. В. Рябикова. М.: Атомиздат, 1974, с.126-129. 2. Синявский в. В. и др. Проектирование и испытания термоэмиссионных твелов. М.: Атомиздат, 1981, с.31-32. |
Имя заявителя: | Отделение "Научно-технический центр "Источники тока "Научно-исследовательского института Научно-производственного объединения "Луч" | Изобретатели: | Николаев Ю.В. Лапочкин Н.В. Васильченко А.В. | Патентообладатели: | Отделение "Научно-технический центр "Источники тока "Научно-исследовательского института Научно-производственного объединения "Луч" |
Реферат | |
Изобретение относится к электротехнике и электронной технике и может быть использовано при разработке электрогенерирующих каналов (ЭГК) термоэмиссионных реакторов-преобразователей в качестве вакуумно-плотных металлокерамических узлов или гермовводов. Задача повышения надежности ЭГК за счет повышения электрической прочности гермоввода решена при помощи двух технических решений. Согласно первому варианту в гермовводе, содержащем металлические манжеты и керамическую втулку, в осевом отверстии последней размещен цилиндрический изолятор с выполненной по его боковой поверхности винтовой канавкой с углом наклона 30 - 80o относительно продольной оси гермоввода. В соответствии с вторым вариантом в гермовводе по крайней мере один из торцов втулки снабжен керамическим стаканом, установленным с зазором по отношению к торцовой поверхности втулки и внутренней поверхности манжеты и закрепленым на дистанционаторах. Повышение электрической прочности гермоввода как в первом, так и во втором вариантах достигается за счет удлинения разрядного промежутка и наличия факторов, препятствующих развитию разряда. 2 с. п. ф-лы, 2 ил.
|