Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


УСИЛИТЕЛЬ - ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ

Номер публикации патента: 2364981

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2007144825/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01J043/06   B82B001/00    
Аналоги изобретения: US 3622828 A, 23.11.1971. US 2005200254 A1, 15.09.2005. US 6870308 B2, 22.03.2005. US 2003001497 A1, 02.01.2003. RU 2221309 C2, 10.01.2004. 

Имя заявителя: ФГУП "НИИ Физических проблем им. Ф.В. Лукина" (RU) 
Изобретатели: Иванников Алексей Евгеньевич (RU)
Ильичев Эдуард Анатольевич (RU)
Набиев Ринат Мухамедович (RU)
Павлов Георгий Яковлевич (RU)
Петрухин Георгий Николаевич (RU)
Полторацкий Эдуард Алексеевич (RU)
Редькин Сергей Викторович (RU)
Рычков Геннадий Сергеевич (RU) 
Патентообладатели: ФГУП "НИИ Физических проблем им. Ф.В. Лукина" (RU) 

Реферат


Изобретение относится к вакуумной эмиссионной технике и может быть использовано при конструировании изделий и устройств вакуумной электроники, СВЧ и микроволновой электроники, систем визуализации информации (экраны плоских дисплеев), осветительных систем. Конструкция усилителя-преобразователя в составе: автоэмиссионного катода на основе углеродных наноструктурированных материалов, например углеродных нанотрубок; сетки на основе многосвязной (в частном случае сетчатой формы) монокристаллической, либо поликристаллической алмазной пленки; коллектора электронов, выполненного либо в виде многослойной пленочной структуры из прозрачного для света слоя оксида индия-оксида олова, люминесцирующего слоя (CdS, ZnS, P) и субмикронного слоя алюминия, прозрачного для электронов пучка, либо в виде сплошного проводящего электрода - в зависимости от функционального использования прибора. В предлагаемом изобретении обеспечиваются: деградационная стойкость - посредством использования автоэмиттеров из УНТ (низкие значения пороговых полей и высокая механическая прочность); высокое пространственное разрешение - посредством микронного масштаба ячеек сетки (многосвязного слоя); расширение температурного диапазона и повышение радиационной стойкости - посредством выбора в качестве базовых материалов углеродных нанотрубок и алмазных пленок. 5 з.п. ф-лы, 14 ил.

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"