Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


КОМБИНИРОВАННЫЙ МАГНИТОРАЗРЯДНЫЙ ГЕТТЕРНО - ИОННЫЙ НАСОС

Номер публикации патента: 1826811

Вид документа: A1 
Страна публикации: SU 
Рег. номер заявки: 4909475 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01J041/12    
Аналоги изобретения: Сверхвысокий вакуум в радиационно-физическом аппаратостроении. П/Р Г.Л. Саксаганского. М.: Атомиздат, 1976, с. 125-127. Авторское свидетельство СССР N 741352, кл. H 01 J 41/12, 1978. 

Имя заявителя: Институт ядерной физики СО РАН 
Изобретатели: Бендер Е.Д.
Кузнецов Г.Ф 

Реферат


Использование: в средствах получения высокого и сверхвысокого вакуума и в областях, где для обеспечения рабочего процесса необходим безмасляный вакуум. Сущность изобретения: в корпусе насоса размещены магниты, электродуговые испарители геттера, магнитопроводы и магниторазрядные ступени, состоящие из ячеистых анодов и катодных пластин. Магнитопроводы выполнены в виде набора пластин, разнесенных на расстояния, равные примерно шагу ячеек анода, и расположенных перпендикулярно к плоскостям анодов и к осям протяженных электродуговых испарителей геттера, а катодные пластины имеют отверстия, расположенные соосно с анодными ячейками. В результате этого при работе насоса атомы и возбужденные молекулы газа выходят из области разряда ячеек и поступают на поверхности пластин магнитопроводов и корпуса, запыляемые электродуговыми испарителями геттера, а плазма дугового разряда может проникать вдоль пластин магнитопроводов через отверстия в катодных пластинах внутрь магниторазрядных ячеек. 4 ил.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"