RU 2249877 C2, 04.10.2005. RU 2216815 C1, 20.11.2003. JP 60180052 A, 13.09.2003. US 2002167254 A1, 14.11.2002. RU 2335031 C1, 27.09.2008. GB 1387004 A, 12.03.1975. EP 1024513 A1, 02.08.2000. JP 60180052 A, 13.09.1985.
Имя заявителя:
Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (RU)
Изобретатели:
Бенеманская Галина Вадимовна (RU) Лапушкин Михаил Николаевич (RU) Франк-Каменецкая Галина Эдуардовна (RU) Спиридонов Александр Александрович (RU)
Патентообладатели:
Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (RU)
Реферат
Изобретение относится к области электровакуумной электронной техники. Фотокатод включает диэлектрическую или полупроводниковую подложку, на которую нанесен слой эмитирующего фотоэлектроны полупроводника n-типа проводимости с шириной запрещенной зоны Eg1. На поверхности слоя полупроводника выращены квантовые точки из полупроводника n-типа проводимости с шириной запрещенной зоны подложки Eg2, декорированные атомами электроположительного металла общей толщиной до 3,0 монослоев. Eg2 1. Технический результат - увеличение квантового выхода фотоэмиссии и возможность селективно анализировать и регистрировать падающее излучение в различных спектральных диапазонах. 3 з.п. ф-лы, 5 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента