JP 62170477 A, 27.07.1987. US 2006196419 A1, 07.09.2006. GB 2030180 A, 02.04.1980. RU 2291223 C2, 10.01.2007. RU 2311492 U1, 27.11.2007. JP 62170477 A, 27.07.1987.
Имя заявителя:
АЛИТУС КОРПОРЕЙШН, С.А. (UY)
Изобретатели:
БИАНА Рикардо Энрике (AR)
Патентообладатели:
АЛИТУС КОРПОРЕЙШН, С.А. (UY)
Реферат
Изобретение относится к системам для химического осаждения плазмой. Заявленная система характеризуется тем, что выборочные поверхности трубчатых основ могут быть подвергнуты обработке для осаждения тонких пленок целевого вещества, где один из электродов, применяемых в плазменной системе, образован основой или заготовкой. Техническим результатом является обеспечение возможности уменьшения габаритов используемых плазменных реакторов. 7 з.п. ф-лы, 7 ил.