Изобретение относится к изготовлению по меньшей мере одной очищенной подложки, особенно, очищенных таким образом режущих частей инструментов, очищенные подложки которых могут быть подвергнуты дополнительной технологической обработке до и/или после очистки, например, посредством нагрева и/или нанесением на них покрытия. Технический результат - обеспечение повышенной плотности плазменного травления непосредственно у очищаемой области поверхности подложки и достижение улучшенной равномерной очистки как внутри рельефов, так и выступающих частей на рассматриваемой области поверхности, особенно, например, на режущих кромках подложек инструментальных частей. Достигается тем, что очистка подложек плазменным травлением выполняется на установке плазменного разряда, содержащей катодный источник электронов (5) и анодную конструкцию (7). Анодная конструкция (7) содержит, с одной стороны, анодный электрод (9) и, с другой стороны, электрически изолированный от него ограничитель (11). Ограничитель (11) имеет отверстие (13), направленное к подвергаемой очистке области (S) подложки (21). Электропитание к катодному источнику электронов (5) и анодному электроду (9) подается по схеме питания от источника питания (19). Схема управляется в электрическом буферном режиме. 2 н. и 42 з.п. ф-лы, 10 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента