US 4700075 A, 13.10.1987. US 2006289748 A1, 28.12.2006. US 2003010913 A1, 16.01.2003. RU 2217776 C2, 27.11.2003.
Имя заявителя:
Корпорация "САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС Ко., Лтд." (KR), Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН (ИПТМ) (RU)
Изобретатели:
Казьмирук Вячеслав Васильевич (RU) Барабаненков Михаил Юрьевич (RU) ЧОИ Чангхун (KR) Цисарь Дмитрий Владимирович (RU)
Патентообладатели:
Корпорация "САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС Ко., Лтд." (KR) Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН (ИПТМ) (RU)
Реферат
Изобретение относится к области электронного приборостроения, а более конкретно - к конструкции детекторов электронов, и может найти преимущественное использование в электронных микроскопах. Детектор электронов выполнен в виде двояковыпуклого оптически прозрачного диска с коническим углублением по его центру, при этом поверхность диска, обращенная к пучку детектируемых электронов, имеет покрытие в виде расположенных в последовательном порядке слоев, из которых внешний слой является дифракционной решеткой, а внутренний слой является сцинтиллятором, выполненным с возможностью испускания фотонов при попадании на него детектируемых электронов; поверхность конического углубления покрыта отражающей металлической пленкой; на внешнем ребре диска размещен световод, выполненный с возможностью передачи фотонов в приемник-анализатор. Технический результат - повышение эффективности сбора детектируемых электронов и увеличение количества фотонов, поступающих в световод после испускания их сцинтиллятором. 3 з.п. ф-лы, 1 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента