На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
СПОСОБ ИМПЛАНТАЦИИ ЧАСТИЦ В ТВЕРДОЕ ТЕЛО | |
Номер публикации патента: 2120680 | |
Редакция МПК: | 6 | Основные коды МПК: | H01J037/317 C23C014/48 | Аналоги изобретения: | RU 2004081 C1, 12.05.91. Диденко А.Н. и др. Воздействие пучков заряженных частиц. - М.: Энергоатомиздат, 1987. Гусева М.И. Ионная имплантация в металлы. - Поверхность, N 4, 1982, с. 27 - 50. SU 1412517 A1, 26.03.86. GB 2208875 A, 19.04.89. |
Имя заявителя: | Институт ядерной физики СО РАН | Изобретатели: | Волосов В.И. Чуркин И.Н. | Патентообладатели: | Институт ядерной физики СО РАН |
Реферат | |
Изобретение относится к технической физике и может быть использовано в любой отрасли для улучшения электрофизических, химических и механических свойств поверхности изделий. Техническим результатом является снижение энергии иона для улучшения энергетических параметров способа и улучшения качества обрабатываемых поверхностей. В способе имплантации тяжелых атомов в твердое тело тяжелые атомы ускоряют до энергии 0,3-10 кэВ и внедряют в твердое тело при плотности потока не менее 2·1015 частиц/см2с.
|