|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ |  |
Номер публикации патента: 2087586 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | C23C014/48 H01J037/317 | | Аналоги изобретения: | Авторское свидетельство СССР N 1086827, кл. C 23 C 14/34, 1986. Авторское свидетельство СССР N 1412517, кл. H 01 J 37/317, 1990. Авторское свидетельство СССР N 1593288, кл. C 23 C 14/48, 1992. |
| Имя заявителя: | Уфимский государственный авиационный технический университет | | Изобретатели: | Будилов В.В.
Кирев Р.М.
Шехтман С.Р. | | Патентообладатели: | Уфимский государственный авиационный технический университет
Будилов Владимир Васильевич
Киреев Радик Маратович
Шехтман Семен Романо |
Реферат | |
Изобретение относится к способам нанесения покрытий ионной имплантацией и может быть использовано в электронной и других отраслях промышленности. Сущность изобретения: имплантацию ионов в мишень осуществляют на глубину, превышающую проецированный пробег ионов при одновременной бомбардировке мишени электронами из плазмы электродугового испарителя при положительном потенциале на мишени. 1 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента