|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ДЕТЕКТОР ОБРАТНО - ОТРАЖЕННЫХ ЭЛЕКТРОНОВ ДЛЯ РАСТРОВОГО ЭЛЕКТРОННОГО МИКРОСКОПА |  |
Номер публикации патента: 2069412 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01J037/28 | | Аналоги изобретения: | 1. Kimoto S. ua. Stereoscopic observation in Sem Using Miltiple Detector "The Electron Microscope". Ed. John Wiley, New York, 1966, p.480-489. 2. Патент США N 217495, кл. 250-310, 1980. 3. Everhardt. E. ua. Wide-Band Detector for Micro-Microampere Low Energy Electron Currents, Journal of scentifiс Jnstrument, 1960, v. 37, p. 246 - 248. 4. Munden A.B. ua. A silicon detector for the Stercoscan scanning electron microscope. - J. Phys. E Sci Jnstrum", 1973, 6, N 9, p. 916 - 920. |
| Имя заявителя: | Лихарев Сергей Константинович | | Изобретатели: | Лихарев Сергей Константинович | | Патентообладатели: | Лихарев Сергей Константинович |
Реферат | |
Использование: в области растровой электронной микроскопии, в частности в устройстве детектора сигнала обратно отраженных электронов (ООЭ) для послойной визуализации глубинной микроструктуры исследуемых объектов, имеющих преимущественно слоистую структуру: интегральных микросхем и других изделий микрои наноэлектроники. Сущность изобретения: для визуализации отдельных глубинных слоев исследуемого объекта при неразрушающей диагностике и тестировании детектор потока ООЭ для растрового электронного микроскопа состоит из набора N-комбинированных детектирующих слоев проводника с малым атомным номером (например, углерода в графитовой фазе) и диэлектрика с малым атомным номером (например, углерода в аморфной фазе), располагаемых вблизи и вокруг первичного пучка электронов. Общая толщина этой системы должна превышать глубину пробега электронов в материале детектора при используемом ускоряющем напряжении. Толщина каждого комбинированного слоя должна быть равна требуемому разрешению с поправкой на отношение атомных номеров материалов объекта и детектора. В данном случае происходит следующее: электроны, отразившиеся от различных глубинных слоев объекта 1 и, соответственно, имеющие соответствующие различные энергии выхода, поглощаются в различных детектирующих слоях проводника 2 (в опытной конструкции - углерод в графитовой фазе, слой толщиной 0,5 мкм), разделенных промежуточными слоями диэлектрика 3 (в опытной конструкции - углерод в аморфной фазе, слой толщиной 0,5 мкм). Селекция электронов, прошедших по преимущественно прямолинейным траекториям внутри объекта, осуществляется благодаря расположению детектора в непосредственной близости или вокруг первичного электронного пучка 4. Те электроны, которые поглощаются в слоях проводника, регистрируются в одном из каналов многоканального усилителя постоянного тока 5. Регистрируемый в некотором канале ток ООЭ в основном соответствует изображению отдельного глубинного слоя объекта, глубина залегания и толщина которого определяются расчетным образом, исходя из номера слоя проводника (т.е. его расстояния от поверхности детектора) и его толщины. 1 з.п.ф-лы, 1 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента