|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ИСТОЧНИК ИОНОВ С ЗАМКНУТЫМ ДРЕЙФОМ ЭЛЕКТРОНОВ |  |
Номер публикации патента: 2030807 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01J027/04 H01J037/08 | | Аналоги изобретения: | Машиев Ю.П. Источники ионов для реактивного ионнолучевого травления и нанесения пленок. Сб.Электронная промышленность, - М., 1990, вып.5, с.15-18. |
| Имя заявителя: | Парфененок М.А. | | Изобретатели: | Парфененок М.А.
Маишев Ю.П.
Терентьев Ю.П. | | Патентообладатели: | Парфененок Михаил Антонович |
Реферат | |
Использование: получение ленточных пучков ионов для ионно-лучевого и реактивного ионно-лучевого травления материалов, очистки активации и полировки поверхностей деталей, а также для нанесения покрытий в вакууме. Сущность изобретения: эмиссионная щель источника ионов с замкнутым дрейфом электронов образована в магнитопроводящем корпусе, служащем катодом, двумя параллельными прямолинейными участками, замкнутыми на концах криволинейными участками щели. Длина L и ширина щели &Dgr; выбраны из условия L/&Dgr; > 3. Анод установлен на расстоянии n=(0,2-0,4)&Dgr; от ближайшей к нему поверхности полюсного наконечника магнитопровода. Анод может быть выполнен с полостью прямоугольной или клиновидной формы, расположенной симметрично напротив эмиссионной щели. Противолежащие полюсные наконечники с элементами магнитопроводящего корпуса могут быть электроизолированы друг от друга и заземлены через приборы, регистрирующие ток. Изобретение позволяет снизить распыление полюсных наконечников и как следствие повысить чистоту покрытий или обрабатываемых поверхностей. 4 з.п. ф-лы, 5 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента