На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
КАТОДОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЙ ЭКРАН МАТРИЧНОГО ТИПА | |
Номер публикации патента: 2179766 | |
Имя заявителя: | Научно-исследовательский институт "ВОЛГА" | Изобретатели: | Горфинкель Б.И. Русина Е.В. | Патентообладатели: | Научно-исследовательский институт "ВОЛГА" |
Реферат | |
Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении плоских катодолюминесцентных экранов с большим количеством светоизлучающих элементов (СИЭ), а также при изготовлении плоских катодолюминесцентных телевизионных экранов и вакуумных люминесцентных индикаторов. Технический результат - расширение функциональных возможностей катодолюминесцентного экрана матричного типа за счет увеличения токоотбора на анод и яркости свечения, насыщенности, видимой равномерности яркости различных цветов, уменьшения "паразитного" контраста и одновременно повышение его экономичности и долговечности в катодолюминесцентном экране матричного типа, включающем вакуумную оболочку, состоящую из лицевой пластины и изолирующей основы с рядами нанесенных анодных электродов, выполненных в виде параллельных полос, покрытых люминофором, по крайней мере, одного цвета, и соединенных токоведущими дорожками с внешними выводами через контактные площадки, систему прямонакальных катодов, управляющие электроды, ортогональные анодным электродам и образующие светоизлучающие сегменты, диэлектрическую рамку, герметично соединяющую лицевую пластину и изолирующую основу, дополнительно введена катодная сетка в виде сеточного полотна с коэффициентом заполнения 0,1±0,06, при этом выполняется условие: где К - коэффициент заполнения сеточного полотна катодной сетки; SПМ - площадь занятого металлом полотна катодной сетки, SО - площадь окна катодной сетки, при этом расстояния от системы катодов до катодной сетки и от катодной сетки до системы управляющих электродов удовлетворяют следующему неравенству: 1/2ХСк-Супр≤ХК-Ск≤ХСк-Супр, где ХК-Ск - расстояние от системы катодов до катодной сетки, ХСк-Супр - расстояние от катодной сетки до системы управляющих электродов. Кроме того, катодная сетка расположена между системой управляющих электродов и системой катодов, катодная сетка расположена между лицевой пластиной и системой катодов. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.
|