Изобретение относится к области плазменной обработки при изготовлении полупроводников. Технический результат - повышение стабильности и продолжительности поддерживания плазмы. Источник ионов снабжен высокочастотной антенной (16), установленной на внешней окружной стороне ограждающей стенки (15), выполненной из диэлектрического материала и ограничивающей плазменную генераторную камеру (14), и защитным корпусом (26), выполненным из диэлектрического материала и ограничивающим осаждение на внутренней окружной поверхности ограждающей стенки (15), находящейся перед высокочастотной антенной (16) внутри плазменной генераторной камеры (14). Конструкция, выполненная из диэлектрического материала, может предотвратить повышение высокочастотной мощности, необходимой для индуктивной связи с плазмой. Защитный корпус (26) сформирован с прорезью (26а) в направлении, пересекающем направление намотки высокочастотной антенны (16). Так как данная схема построения может предотвратить непрерывное осаждение на внутренней поверхности ограждающей стенки в направлении намотки высокочастотной антенны, то индуктивные потери между высокочастотной антенной и плазменной генераторной камерой можно эффективно предотвращать, даже если формируется осаждаемая пленка из электропроводящего материала. 4 н. и 5 з.п. ф-лы, 28 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента