|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ИОНОВ И ИСТОЧНИК ИОНОВ ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2095877 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01J027/00 H01J027/02 H01J027/18 | | Аналоги изобретения: | ЕПП, патент, 0474584, кл. H 01 J 27/18, 1991. Groh K.H. et al., Development statur of the RII Jon Jpginis., 21-st International Electric Propulsion Conference, A1AA, paper 90 - 2671, 1990, p. 9. GB, патент, 1399603, кл. H 01 J 27/00, 1972. |
| Имя заявителя: | Государственный научно-исследовательский институт прикладной механики и электродинамики Московского авиационного института | | Изобретатели: | Александров А.Ф.
Антонова Т.Б.
Бугров Г.Э.
Воробьев Н.Ф.
Кондранин С.Г.
Кралькина Е.А.
Обухов В.А.
Попов Г.А.
Рухадзе А.А. | | Патентообладатели: | Государственный научно-исследовательский институт прикладной механики и электродинамики Московского авиационного института |
Реферат | |
Использование: ионная техника. Сущность изобретения: для получения пучка ионов в разрядном объеме осуществляют генерацию плазмы путем возбуждения в нем безвихревой электрической компоненты высокочастотного поля и аксиально симметричного стационарного магнитного поля, которое создают неоднородным, спадающим к оси симметрии разрядного объема. В генерируемой плазме возбуждают собственные электростатические волны путем выбора величины индукции стационарного магнитного поля в разрядном объеме, мощности и частоты высокочастотного поля при заданном значении плотности ионного тока. Выполнение данных условий определяет высокую эффективность получения пучка ионов, которая характеризуется энергетической и газовой эффективностью реализующего способ источника ионов, за счет наиболее полного использования вводимой в разрядную камеру высокочастотной мощности. 2 с. и 15 з.п. ф-лы, 7 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента