|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| Ионный источник |  |
Номер публикации патента: 2002333 |  |
| Имя заявителя: | Научно-производственное предприятие "НОВАТЕХ" | | Изобретатели: | Саблев Леонид Павлович (н/п)
Андреев Анатолий Афанасьевич (н/п)
Григорьев Сергей Николаевич (н/п) | | Патентообладатели: | Научно-производственное предприятие "НОВАТЕХ" |
Реферат | |
Использование: для комплексной поверхности вакуумно-плазменной обработки инструмента, деталей машин и иных изделий. Сущность изобретения; в разрядной полости вакуумной камеры ионного источника возбуждается двухступенчатый вакуумно-дуговой разряд с интегрально-холодным катодом Для этого между анодом и катодом устанавливается перегородка, делящая разрядную полость на катодную и анодную части.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента