|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ ИСТОЧНИК ИОНОВ |  |
Номер публикации патента: 1570549 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01J027/16 | | Аналоги изобретения: | Дьячков Б.А. и др. Высокочастотный источник ионов малой энергии. ПТЭ, 1978, N 2, с.191. |
| Имя заявителя: | Харьковский государственный университет им.А.М.Горького | | Изобретатели: | Будянский А.М.
Зыков А.В.
Фареник В. |
Реферат | |
Изобретение относится к области получения пучков ионов и может быть использовано для обработки материалов в вакууме при производстве изделий микроэлектроники. Целью изобретения является повышение экономичности источника путем уменьшения потерь ионов, вносимых электродами-сетками ионно-оптической системы (ИОС), повышение стабильности параметров, срока службы источника и чистоты обработки материалов за счет исключения из него катода-нейтрализатора и электродов-сеток ИОС, находящихся под постоянным потенциалом. Источник содержит диэлектрическую разрядную камеру 1, ВЧ-индуктор 2, охватывающий камеру снаружи, источник 3 ВЧ-напряжения, потенциальный электрод 4, расположенный в камере и подключенный через разделительную емкость 5 к источнику ВЧ-напряжения, заземленный электрод-сетку 6, отделяющий объем камеры от области транспортировки пучка, причем площадь потенциального электрода 4 больше площади электрода-сетки. 1 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента