RU 2228560 C1, 10.05.2004. RU 2337426 C1, 27.10.2008. GB 2395837 A, 02.06.2004. US 4855645 A, 08.08.1989. EP 1870923 A1, 26.12.2007.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Томский политехнический Университет" (RU)
Изобретатели:
Винтизенко Игорь Игоревич (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Томский политехнический Университет" (RU)
Реферат
Изобретение относится к области релятивистской высокочастотной электроники и может быть применено для генерации мощного СВЧ излучения. Технический результат заключается в повышении напряженности высокочастотного поля на оси излучающей системы, представляющей собой многомерную антенную решетку, составленную из отдельных волноводных каналов с излучающими щелями. Релятивистский магнетрон содержит многорезонаторный анодный блок (2) с расположенными на оси взрывоэмиссионным катодом (3) и цилиндрической трубой дрейфа (1), внешнюю магнитную систему (6) из двух катушек, образующих пару Гельмгольца. Резонаторы, расположенные через один, связаны волноводными каналами связи (7, 8) числом s=1,2,N/2 и длиной m, где N - число резонаторов анодного блока, m - положительное целое число, - длина волны колебаний в волноводе. В каналах связи (7, 8) выполнены излучающие щели (9). Центральная излучающая щель расположена на оси электрической симметрии канала связи. Излучающие щели (9) выполнены в широкой стенке канала связи (7, 8) таким образом, что боковые излучающие щели расположены относительно центральной на расстоянии (2n+1)/4 поочередно по разные стороны от средней линии стенки канала, где n - целое число, или таким образом, что боковые излучающие щели расположены относительно центральной на расстоянии n по одну сторону от средней линии стенки канала, или таким образом, что боковые излучающие щели расположены относительно центральной на расстоянии n на средней линии стенки канала. 3 з.п. ф-лы, 2 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента