|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭМИССИОННОГО МАТЕРИАЛА ДЛЯ ОКСИДНЫХ КАТОДОВ |  |
Номер публикации патента: 2149480 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01J009/04 H01J019/06 | | Аналоги изобретения: | Пикус Г.Я. и др. Высокоэффективный термокатод на основе окислов щелочноземельных металлов. Тезисы доклада XXI Всесоюзной конференции по эмиссионной электронике.-Л.: 1990, ч.1, с. 230. RU 2019878 C1 15.09.1994. RU 060570 C1 20.05.1996. SU 492950 A 11.12.1975. SU 600635 A 11.04.1978. US 4251569 A 17.02.1981. GB 1205116 A 16.09.1970. |
| Имя заявителя: | Ивановский государственный химико-технологический университет | | Изобретатели: | Александров Е.М.
Горфинкель Б.И.
Ногтев Г.А.
Овчинников Н.Л.
Шофман Г.С. | | Патентообладатели: | Ивановский государственный химико-технологический университет |
Реферат | |
Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении эмиссионных материалов для катодов электровакуумных и газоразрядных приборов на основе сложных соединений щелочноземельных металлов (Ba, Sr и Ca). Технический результат - создание способа получения эмиссионного материала для оксидных катодов, который позволил бы повысить эксплуатационные и другие характеристики электровакуумных и газоразрядных приборов за счет повышения эмиссионной способности и эмиссионной однородности материала. Поставленная задача решена способом получения эмиссионного материала для оксидных катодов, включающим осаждение труднорастворимых соединений щелочноземельных металлов из водных растворов их нитратов раствором смеси оксалата аммония и карбоната аммония с мольным соотношением (NH4)2C2O4 : (NH4)2CO3 = 0,3 - 0,7 : 0,7 - 0,3. Далее полученные осадки отделяются от маточника на воронке Бюхнера, промываются дистиллированной водой и сушатся при 100-150°C в течение 10 ч. Одним из вариантов сушки может быть проведение ее в вакууме при 240-250°C и остаточном давлении 5-10-2 - 1-10-2 тор. 1 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента