WO 09935304 A1, 15.07.1999. RU 2146304 C1, 10.03.2000. RU 2205894 C2, 10.06.2003. RU 2010775 C1, 15.04.1994. US 4314833 A, 09.02.1982. US 4473596 A, 25.09.1984. US 5597624 A, 28.01.1997. US 5501740 A, 26.03.1996. US 5311103 А, 10.05.1994.
Изобретение касается устройства для выполнения процесса плазменного химического осаждения из газовой фазы (PCVD), способа изготовления заготовки (варианты), способа изготовления оптического волокна (варианты) и печи для поддержания температуры подложки в процессе PCVD. Один или более легированных или нелегированных слоев наносят на внутреннюю поверхность стеклянной трубки подложки способом PCVD. Устройство содержит аппликатор, имеющий внутреннюю и внешнюю стенки, и волновод, который открывается в аппликатор. Аппликатор продолжается вокруг цилиндрической оси, и он имеет проход, примыкающий к внутренней стенке, через который могут выходить микроволны. По его цилиндрической оси помещают трубку подложки. В аппликаторе имеется, по меньшей мере, одна дроссельная канавка кольцеобразной формы, имеющая длину l и ширину b, которая центрирована вокруг цилиндрической оси внутри аппликатора. Технический результат заключается в повышении производительности процесса плазменного химического осаждения из газовой фазы и уменьшении утечки высокочастотной энергии из аппликатора в процессе PCVD. 7 н. и 24 з.п. ф-лы, 5 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента