|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| КАТОДОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЙ ЭКРАН И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2152662 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01J001/62 H01J029/18 | | Аналоги изобретения: | US 5345141 A, 06.09.1994. RU 2071616 C1, 10.01.1997. EP 0621624 A1, 26.01.1994. US 5578900 A, 26.11.1996. US 5408161 A, 18.04.1995. US 5497047 A, 05.03.1966. |
| Имя заявителя: | Научно-исследовательский институт "Волга" (RU) | | Изобретатели: | Горфинкель Б.И.(RU)
Абаньшин Н.П.(RU) | | Патентообладатели: | Научно-исследовательский институт "Волга" (RU)
КопиТеле (US) |
Реферат | |
Изобретение относится к низковольтным средствам отображения информации на основе катодолюминесценции и может быть использовано при разработке устройств для создания экранов, цифровых и буквенно-цифровых индикаторов, универсальных панелей для визуального отображения любой информации. Технический результат заключается в обеспечении долговечности, высокоинформативности и упрощении технологии. В известном катодолюминесцентном экране с вакуумной оболочкой, составленной из двух плоских стеклянных лицевой прозрачной пластины и подложки с электродами: плоским тонким торцевым эмиттером и анодом, покрытым проводящим слоем и люминофором, аноды и эмиттеры выполнены в виде двух гребенок, вложенных одна в другую. Эмиттеры с соединителями расположены в верхней плоскости подложки, а аноды и анодные шины расположены на дне траншей, выполненных на заданную глубину в подложке со стороны верхней плоскости. Свободное пространство траншей анодных шин заполнено диэлектриком, например легкоплавким стеклом, до образования планаризованной поверхности для расположения на ней соединительных эмиттерных шин. Траншеи выполняют путем жидкостного травления. После образования планаризованной поверхности напыляют резистивный слой. Топология защитных сопротивлений формируется фотолитографией, после чего на поверхность наносят эмиттирующий и проводящий слои, формируют эмиттерные шины, активную структуру анодов и эмиттеров, светоизлучающей ячейки путем травления в окнах проводящего слоя, эмиттирующего слоя и полости в стекле на заданную глубину. Лучевым напылением осаждают проводящий слой, контактирующий с анодной шиной. Удаляют фоторезист с напыленным на него проводящим слоем и наносят слой низковольтного мелкозернистого люминофора. 2 с. и 4 з.п. ф-лы, 7 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента