Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МНОГОСЛОЙНОГО ПОЛЕВОГО ЭМИТТЕРА

Номер публикации патента: 2399114

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2009127553/09 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01J001/02   H01J009/02    
Аналоги изобретения: SU 118913, 20.07.1959. SU 1069029 A1, 27.01.1984. RU 2144235 C1, 10.01.2000. WO 9905692 A1, 04.02.1999. WO 9736693 A1, 09.10.1997. JP 2007165030 A, 15.10.2007. JP 2003059393 A, 28.02.2003. 

Имя заявителя: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Санкт-Петербургский государственный университет (СПбГУ) (RU) 
Изобретатели: Егоров Николай Васильевич (RU)
Антонова Любовь Ивановна (RU)
Антонов Степан Романович (RU) 
Патентообладатели: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Санкт-Петербургский государственный университет (СПбГУ) (RU) 

Реферат


Изобретение относится к области электронной техники. Технический результат - повышение эффективности и стабильности эмиссии с уменьшением порогового значения напряженности электрического поля. Способ изготовления многослойного полевого эмиттера состоит в получении вольфрамового острия путем химического травления вольфрамовой нити щелочным раствором, закреплении вольфрамового острия в нагревательном элементе, очистки вольфрамового острия в вакууме путем прогрева до получения поликристаллической решетки чистого вольфрама и последующем напылении. Напыление осуществляют последовательным нанесением слоя TiO2 толщиной не более двух монослоев, а затем слоя Cs, толщиной не более монослоя, при этом осуществляют контроль за током эмиссии до максимального его значения 2-3 мкА при расстоянии от анода до вольфрамового острия в пределах 23-27 мм и напряжении между ними в пределах 6±0,5 кВ. Способ может быть использован при создании плоских автоэмиссионных дисплеев для мониторов и телевизоров, не уступающих электронно-лучевым дисплеям по разрешению и яркости, магнетронов с безнакальным автокатодом, которые позволяют создавать современные и экономичные радары, высокочастотных полевых эмиссионных диодов. 1 з.п. ф-лы, 3 ил., 2 табл.
Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"