|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ГИБРИДНАЯ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНАЯ СХЕМА |  |
Номер публикации патента: 2125321 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01J047/00 | | Аналоги изобретения: | LEVINE B.F. QUANTUM - Werr infrafed.PHOTOdETECTORS. J.APPL. PHYS, 74(8), 150 Octobep, 1993. LEVINE B.F. et al. LONG-WAVELEngth 128x128 GaAS gua tum wehh ingrared photodetector ARRAYS. Semicjnd. Soi. Technoh. - 1991, v 6., c. 114- c 119. US 4644221 А, 17.02.87. SU 1136231 А, 23.01.85. |
| Имя заявителя: | Государственное унитарное предприятие Научно-производственное предприятие "Пульсар" | | Изобретатели: | Аветисян Г.Х.
Залевский И.Д.
Куликов В.Б. | | Патентообладатели: | Государственное унитарное предприятие Научно-производственное предприятие "Пульсар" |
Реферат | |
Изобретение относится к области полупроводниковой электроники и может быть использовано при создании многоэлементных фотоприемников. Техническим результатом повышение пороговой чувствительности гибридной фоточувствительной схемы (ГФС) в условиях повышенной фоновой облученности. Матричный фотоприемник (МФП) в ГФС имеет X-Y-адресацию, при этом каждый столбец МФП электрически связан с соответствующим каналом линейного мультиплексора, обеспечивающего возможность накопления сигнальных зарядов, кроме того в МФП между структурой с квантовыми ямами (СКЯ) и нижним проводящим слоем, имеющими одинаковый тип проводимости, размещен дополнительный слой, имеющий противоположный тип проводимости, электрически разделенный на плоскости, являющиеся непрерывными в пределах каждой строки и электрически соединенные с соответствующими каналами коммутатора строк. 2 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента