|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИКРООСТРИЙ НА ПОВЕРХНОСТИ |  |
Номер публикации патента: 2121193 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01J001/30 H01J009/02 | | Аналоги изобретения: | Thomas R.N. et. al. Fabrication and some application of large-area silicon field emission array. Solid-state elektronics, 1974, vol. 17, N 2, p. 155 - 163. SU 797440 A, 23.03.86. RU 2028684 C1, 09.02.95. Spindt C.A. et al. Physical properties of thin film emission cathodes with molibdenum cones, Journal of Applied Physics, 1976, vol. 47, N 12, p. 5243-5248. |
| Имя заявителя: | Научно-исследовательский институт механики и физики при Саратовском государственном университете им.Н.Г.Чернышевского | | Изобретатели: | Колосов В.В.
Гаврилов М.В. | | Патентообладатели: | Научно-исследовательский институт механики и физики при Саратовском государственном университете им.Н.Г.Чернышевского
Колосов Вячеслав Викторович
Гаврилов Михаил Викторович
Саратовская государственная академия пр |
Реферат | |
Изобретение относится к микроэлектронике и предназначено для изготовления проводящих микроострий, которые могут быть использованы, например, в производстве вакуумных интегральных микросхем. Изобретение позволяет улучшить эмиссионные характеристики микроострий при упрощении технологического процесса. Способ включает окисление и травление, которые осуществляют воздействием на поверхность газовым разрядом в скрещенных электрическом и магнитном полях с величиной магнитной индукции, равной 0,005 - 0,07 Тл, в атмосфере чистого кислорода при давлении 1 - 0,05 Па. Одновременно осуществляют непрерывный контроль процесса во избежание прожигания поверхности. 3 з.п. ф-лы.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента