|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОКСИДНО - ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО КОНДЕНСАТОРА |  |
Номер публикации патента: 2061976 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01G009/058 | | Аналоги изобретения: | Авторское свидетельство CССР N 32608, кл. Н 01 G 9/05, 1974. Патент Румынии N 98964, кл. H 01 G 9/05, 1990. |
| Имя заявителя: | Малое инновационно-коммерческое предприятие "АВИ-Центр" | | Изобретатели: | Косюк Л.М.
Бедер Л.К.
Ханина Е.Я.
Ершова Н.Ю. | | Патентообладатели: | Малое инновационно-коммерческое предприятие "АВИ-Центр"
Косюк Людмила Михайловна
Бедер Людмила Кирилловна
Ханина Елена Яковлевна
Ершова Наталья Юрь |
Реферат | |
Использование: электронная техника, конденсаторостроение. Сущность изобретения: осуществляют анодирование и термообработку на воздухе объемно-пористых анодов в течение 0,75-2 ч, при этом термообработку ниобиевых анодов проводят при температуре 30-450 oС, а танталовых при 400-525 oС. Далее осуществляют анодирование при напряжении, равном 0,55-0,61 напряжения анодирования, после чего наносят полупроводниковый катод пиролитическим разложением марганца, проводят дополнительное реанодирование и нанесение переходных покрытий. Указанная последовательность операции и технологические режимы позволяют увеличить емкость оксидно-полупроводникового конденсатора. 2 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента