Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ТОНКОПЛЕНОЧНЫЙ КОНДЕНСАТОР ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА В НЕСИММЕТРИЧНЫЕ ПОЛОСКОВЫЕ ЛИНИИ

Номер публикации патента: 2460164

Вид документа: C2 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2010148280/07 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01G004/08    
Аналоги изобретения: SU 879664, 09.11.1981. US 2010246090 А1, 30.09.2010. WO 2007010681 A1, 25.01.2007. JP 6302764 A, 28.10.1994. 

Имя заявителя: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов" (ОАО "НИИПП") (RU),
Открытое акционерное общество "Центральное конструкторское бюро автоматики" (ОАО "ЦКБА") (RU) 
Изобретатели: Вольхин Юрий Николаевич (RU)
Глущенко Виталий Александрович (RU)
Семёнов Анатолий Васильевич (RU)
Хан Александр Владимирович (RU)
Янковская Юлия Владимировна (RU) 
Патентообладатели: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов" (ОАО "НИИПП") (RU)
Открытое акционерное общество "Центральное конструкторское бюро автоматики" (ОАО "ЦКБА") (RU) 

Реферат


Изобретение относится к пленочным конденсаторам постоянной емкости. Техническим результатом изобретения является уменьшение разброса параметров отдельных конденсаторов при их изготовлении. Согласно изобретению тонкопленочный разделительный конденсатор для поверхностного монтажа в полосковые линии передачи содержит последовательно соединенные подложку, изготовленную из полуизолирующего полупроводника электронного типа проводимости, нижняя и средняя части которой имеют одинаковое прямоугольное сечение, проводящий слой, изготовленный из эпитаксиального высоколегированного полупроводника электронного типа проводимости, изолирующий слой и две металлические контактные площадки прямоугольной формы, разделенные между собой зазором и выполнен в виде двухступенчатого пьедестала, нижняя прямоугольная ступень которого содержит нижнюю и среднюю части подложки, а вторая ступень, выполненная в виде четырехугольной усеченной пирамиды, содержит верхнюю часть подложки, проводящий слой, изолирующий слой, нанесенный на всю внешнюю поверхность пирамиды, и две металлические контактные площадки, верхняя, плоская, часть первой ступени пьедестала также покрыта изолирующим слоем, являющимся продолжением изолирующего слоя пирамиды, нанесенным одновременно с нанесением изолирующего слоя на пирамиду, и со стороны нижней поверхности подложки дополнительно нанесен защитно-упрочняющий слой металла. 4 з.п. ф-лы, 2 ил.
Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"