WO 2008040706 A1, 10.04.2008. RU 92568 U1, 20.03.2010. SU 450246 A1, 15.11.1974. WO 2005094440 A2, 13.10.2005.
Имя заявителя:
Общество с ограниченной ответственностью "БАРГАН ТЕХНОЛОДЖИ" (ООО "БТЕХ") (RU)
Изобретатели:
Барган Василий Александрович (RU) Барган Петр Александрович (RU) Халявин Алексей Борисович (RU) Малыгин Анатолий Алексеевич (RU) Кашин Дмитрий Евгеньевич (RU) Пейсахов Александр Викторович (RU)
Патентообладатели:
Общество с ограниченной ответственностью "БАРГАН ТЕХНОЛОДЖИ" (ООО "БТЕХ") (RU)
Реферат
Изобретение относится к микроэлектронике, а более конкретно к способам изготовления многослойных нанокомпозитов для конденсаторов, в частности наноструктур металл-диэлектрик-металл (МДМ) с нанометровой толщиной слоев. В способе, включающем следующие этапы: формирование на поверхности кремниевой подложки регулярно расположенных затравочных выступов, выращивание одномерных наноэлементов, а также нанесение методом атомно-слоевого осаждения (ALD) или plasma enchanched ALD (PEALD) методом на поверхности выращенных одномерных наноэлементов и на участки поверхности подложки, не занятые упомянутыми выше наноэлементами, слоев, конформных этим поверхностям и соответствующих диэлектрической части формируемой наноструктуры и верхней обкладке для конденсатора, согласно изобретению, центры одномерных наноэлементов формируют на поверхности кремниевой подложки в виде расположенных регулярно затравочных выступов, на которых выращивают методом скользящего углового осаждения (GLAD) одномерные наноэлементы из высоколегированного кремния столбчатой формы, при этом затравочные выступы выполняют с максимальными поперечными размерами от 25 до 80 нм. Техническим результатом является повышение удельной электро- и энергоемкости, однородности распределения электрофизических параметров. 3 з.п. ф-лы, 5 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента