На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАГНИТОПРОВОДОВ | |
Номер публикации патента: 2079915 | |
Редакция МПК: | 6 | Основные коды МПК: | H01F041/02 | Аналоги изобретения: | Заявка Японии N 59-98710, кл. H 01 F 41/02, 1984. Заявка Японии N 59-99709, кл. H 01 F 41/02, 1984. Авторское свидетельство СССР N 982108, кл. H 01 F 41/02, 1982. Малиночка Е.Я., Дураченко А.М., Борисов В.Т. Релаксационные процессы при нагреве аморфных металлических сплавов. - М.: Металлы, 1982, N 3, с.99 - 102. АММС, каталог ЦНИИЧМ. - М.: 1987. Авторское свидетельство СССР N 1744766, кл. H 02 K 15/02, 1991. Отчет ИМФ ЦНИИЧМ, N 1846, ч.2.- М.: 1991. |
Имя заявителя: | Всероссийский электротехнический институт им.В.И.Ленина | Изобретатели: | Дураченко А.М. | Патентообладатели: | Всероссийский электротехнический институт им.В.И.Ленина |
Реферат | |
Изобретение относится к области электротехники, а именно - к изготовлению магнитных систем трансформаторов, и может быть использовано в высокочастотных трансформаторах с магнитопроводами из аморфных магнитомягких и микрокристаллических сплавов, характеризующихся низкими потерями на гистерезис и вихревые токи. Сущность изобретения состоит в том, что способ включает навивку магнитопровода из ленты, отжиг, покрытие синтетической смолой, отверждение, резку, а после резки - механическую пришлифовку торцов частей магнитопровода в зажимной оснастке. Согласно изобретению, отжиг проводят в режиме обеспечения начальной стадии охрупчивания материала магнитопровода в течение времени τотж.≥ τохр. при температуре Tотж. < Tкр., где τотж. - время отжига (сек. ); τохр. - время охрупчивания материала магнитопровода (сек.); Tотж. - температура отжига (oC); Tкр. - температура кристаллизации материала магнитопровода (oC). Изобретение обеспечивает улучшение качества магнитопроводов путем повышения уровня их электромагнитных характеристик.
|