RU 2087968 C1, 20.08.1997. RU 2157015 C1, 27.09.2000. RU 2193252 C2, 20.11.2002. RU 2150762 С1, 10.06.2000. WO 2009041931 А1, 02.04.2009. UA 73849 С2, 15.09.2005. WO 80/02212 А1, 16.10.1980. JP 60226112 А, 11.11.1985. WO 2009144759 А1, 03.12.2009.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Петербургский государственный университет путей сообщения" (RU)
Изобретатели:
Манаков Александр Демьянович (RU) Никитин Александр Борисович (RU) Наседкин Олег Андреевич (RU) Шатохин Виталий Анатольевич (RU) Шатров Евгений Николаевич (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Петербургский государственный университет путей сообщения" (RU)
Реферат
Изобретение относится к электротехнике, в частности к трансформаторостроению, и касается конструкций высоковольтных трансформаторов. Технический результат состоит в повышении надежности трансформатора за счет выравнивания напряжения в крайних слоях со стороны начала и конца высоковольтной обмотки трансформатора при воздействии волн перенапряжений с крутыми фронтами. Трансформатор содержит магнитопровод (1), на котором концентрически размещены низковольтная (2) и высоковольтная (3) обмотки, выполненные из витков, образующих слои. Высоковольтная обмотка (3) соединена с высоковольтными выводами (А) и (X). Слой высоковольтной обмотки, наиболее удаленный от магнитопровода, снабжен высоковольтным экраном (4), соединенным с высоковольтным выводом (X). Второй высоковольтный экран (5) расположен перед начальным слоем высоковольтной обмотки (3). Каждый из высоковольтных экранов (4) и (5) выполнен в виде двух изолированных проводников, намотанных в один слой. Противоположные концы проводников первого высоковольтного экрана (4) соединены с концом высоковольтной обмотки (3). Противоположные концы второго высоковольтного экрана (5) соединены с началом высоковольтной обмотки (3). Другие концы проводников высоковольтных экранов: (4) и (5) остаются изолированными. 2 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента