RU 2208256 С2, 10.07.2003. RU 2213383 С2, 27.09.2003. US 4929923 A, 29.05.1990. US 5110538 A, 05.05.1992.
Имя заявителя:
Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт электронно-механических приборов" (ФГУП "НИИЭМП") (RU)
Изобретатели:
Власов Геннадий Сергеевич (RU) Лугин Александр Николаевич (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт электронно-механических приборов" (ФГУП "НИИЭМП") (RU)
Реферат
Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении тонкопленочных микросборок, а более конкретно для конструирования и изготовления тонкопленочных резисторов на диэлектрических подложках. Способ изготовления тонкопленочного резистора включает напыление на диэлектрическую подложку резистивного слоя, формирование контактных площадок, формирование методом фотолитографии резистивных элементов, определение величины сопротивления тонкопленочных резистивных элементов, подгонку до требуемой величины сопротивления и ТКС интегрального резистора на основании расчетных соотношений между сопротивлениями тонкопленочных структур, их ТКС и ТКС интегрального резистора, который выполняют в виде последовательной электрической цепи участков этого резистора, состоящей из первого и второго прямоугольных резистивных элементов с различными ТКС, по краям которой расположены две токовые контактные площадки, а третий резистивный элемент выполняют из основного резистивного материала и соединяют с телом интегрального резистора на стыке первого и второго резистивного элемента и третьей потенциальной контактной площадкой, причем все резистивные элементы формируют одновременно в результате операции травления резистивного покрытия, в ходе которой также формируют выступы различной длины в теле интегрального резистора, примыкающие к токовым контактам и позволяющие снизить пиковое значение выделяемой в области контакта мощности, доводят ТКС последовательно соединенных участков интегрального резистора до значений, имеющих различные знаки, методом термообработки, а затем доводят до нуля ТКС интегрального резистора методом лазерной подгонки, используя аналитическое соотношение R1/R2=(2-)/(-1), где R1, R2 - сопротивления соответственно первого и второго резистивных тонкопленочных элементов, 1, 2 - ТКС соответственно первого и второго резистивных тонкопленочных элементов, - ТКС интегрального резистора, при попеременном измерении сопротивлений последовательных участков интегрального резистора. Техническим результатом является создание обладающего технологической простотой способа прецизионного тонкопленочного резистора. 3 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента