|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНОГО ТЕРМОРЕЗИСТОРА |  |
Номер публикации патента: 2133514 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01C017/22 H01C017/24 | | Аналоги изобретения: | SU 1812562 A1, 30.04.93. US 5119538 A, 09.06.92. JP 2-27802 B2, 30.04.85. US 4929923 A, 29.05.90. |
| Имя заявителя: | Научно-исследовательский институт электронно-механических приборов | | Изобретатели: | Власов Г.С.
Лугин А.Н.
Проскурин Л.С.
Шутенко С.В. | | Патентообладатели: | Научно-исследовательский институт электронно-механических приборов |
Реферат | |
Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано в производстве тонкопленочных терморезисторов - датчиков температуры. В способе изготовления тонкопленочного терморезистора, включающем напыление на диэлектрическую подложку резистивного слоя, формирование примыкающих к одной из сторон диэлектрической подложки контактных площадок, формирование методом фотолитографии из резистивного слоя регулярной структуры зигзагообразной формы - меандр с подгоночными перемычками, определение величины сопротивления резистивного слоя и подгонку до требуемой величины сопротивления выполнением заданного количества резов с последующим нанесением на тонкопленочную структуру защитного покрытия, резистивную тонкопленочную структуру выполняют из двух материалов с различными значениями удельного сопротивления и ТКС, а в месте соединения материалов и по краям формируют три контактные площадки, расположенные по одной стороне диэлектрической подложки, причем крайние контактные площадки располагают в непосредственной близости, к каждой контактной площадке формируют электрический вывод, измеряют значение сопротивления и ТКС между контактной площадкой, расположенной в месте соединения тонкопленочных материалов и двумя остальными контактными площадками, а требуемые значения ТКС и полного сопротивления терморезистора находят из соотношений
где R1 - сопротивление тонкопленочной структуры из первого материала, R2 - сопротивление тонкопленочной структуры из второго материала, R0 - требуемое полное сопротивление терморезистора, α1-ТКС тонкопленочной структуры из первого материала, α2-ТКС тонкопленочной структуры из второго материала, αo- требуемое значение ТКС терморезистора, производят подгонку сопротивлений R1 и R2 согласно расчетным соотношениям, соединяют контактные площадки, а один из электрически соединенных выводов удаляют. Способ обеспечивает возможность подгонки изделия в одном технологическом процессе по двум параметрам, полного сопротивления и требуемого значения ТКС. 1 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента