|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ТЕРМОРЕЗИСТОРА |  |
Номер публикации патента: 2084032 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01C013/00 | | Аналоги изобретения: | 1. Зайцев Ю.В. и др. Полупроводниковые резисторы в электротехнике. - Энергоатомиздат, 1988, с. 14, табл. 1.4. 2. Алмаз в электронной технике. /Сборник статей. Отв. ред. Квасцов В.В. - Энергоатомиздат, 1990, с. 80 - 83. |
| Имя заявителя: | Товарищество с ограниченной ответственностью - Фирма "БРОНКС" | | Изобретатели: | Крячков В.А.
Хряпенков С.Е.
Санжарлинский Н.Г.
Самойлович М.И. | | Патентообладатели: | Товарищество с ограниченной ответственностью - Фирма "БРОНКС" |
Реферат | |
Использование: изобретение относится к области электронной техники, в частности полупроводниковым терморезисторам. В способе изготовления полупроводникового терморезистора сначала выращивают термочувствительный элемент из монокристалла синтетического полупроводникового алмаза. Затем на нем как на затравке наращивают вокруг всего полупроводникового алмаза тонкий изолирующий слой синтетического диэлектрического алмаза. В последнем выполняют окна и через эти окна к полупроводниковому алмазу присоединяют электрические выводы с образованием высокотемпературных оммических контактов. Дополнительно на слой синтетического диэлектрического алмаза наращивают подогреватель в виде резистивного слоя полупроводникового вырожденного алмаза с электрическими выводами на наружных гранях. В резистивном слое выполняют окна напротив окон в слое диэлектрического алмаза. 5 з.п. ф-лы, 4 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента