RU 2330343 C1, 27.07.2008. RU 2374710 C1, 27.11.2009. US 4782320 A, 01.11.1988. US 5197804 A, 30.03.1993.
Имя заявителя:
Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт электронно-механических приборов" (ФГУП "НИИЭМП") (RU)
Изобретатели:
Власов Геннадий Сергеевич (RU) Лугин Александр Николаевич (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт электронно-механических приборов" (ФГУП "НИИЭМП") (RU)
Реферат
Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении тонкопленочных микросборок, а более конкретно для конструирования и изготовления тонкопленочных резисторов на диэлектрических подложках. Прецизионный тонкопленочный резистор (ТПР) содержит диэлектрическую подложку с размещенными на ее поверхности пленочным прямоугольным резистивным элементом со ступенчатым утолщением пленки и двумя пленочными контактными выводами на его концах, причем толщина ступенек примерно равна толщине резистивной пленки основного резистора, кромка первой ступеньки, считая от вывода, проходит перпендикулярно линии тока по всей ширине резистора на расстоянии для одной - не менее толщины основной части резистивной пленки, а конкретное значение этого расстояния и толщины ступеньки рассчитывается путем моделирования с учетом свойств резистивной пленки. Третий же пленочный металлический контактный вывод является потенциальным и подключается к телу основного резистора полосой из основного резистивного материала, а кромка второй ступеньки находится от своего контакта на расстоянии в n раз большем, чем у первой, при этом числовое значение коэффициента n определяется из математического выражения. Техническим результатом является обеспечение дополнительной возможности доводки ТКС до требуемого значения. 3 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента