US 4110776 А, 29.08.1978. SU 1030863 A1, 23.07.1983. US 5235312 A, 10.08.1993. US 5661332 A, 26.08.1997.
Имя заявителя:
Производственное республиканское унитарное предприятие "Завод полупроводниковых приборов" (BY)
Изобретатели:
Леонов Николай Иванович (BY) Котов Владимир Семенович (BY) Лемешевская Алла Михайловна (BY) Дударь Наталья Леонидовна (BY) Шведов Сергей Васильевич (BY) Емельянов Виктор Андреевич (BY)
Патентообладатели:
Производственное республиканское унитарное предприятие "Завод полупроводниковых приборов" (BY)
Приоритетные данные:
02.08.2007 BY a20070986
Реферат
Изобретение относится к микроэлектронике, а более конкретно к технологии изготовления высокоомных поликремниевых резисторов, и может быть использовано в производстве поликремниевых резисторов как в качестве дискретных элементов, так и в составе интегральных схем. Способ формирования высокоомного поликремниевого резистора включает нанесение поликремниевого слоя на изолирующий его от подложки и элементов интегральной схемы диэлектрик, формирование высоколегированных областей контактов резистора с помощью ионной имплантации большой дозой примеси или диффузии примеси, формирование последующей фотолитографией области поликремния, напыление слоя металла с последующей фотолитографией, формирование легированного слоя в теле резистора с помощью ионной имплантации, после формирования легированного слоя в теле резистора проводят отжиг при 250°С - 850°С. Способ позволяет получать большие поверхностные сопротивления поликремниевых резисторов с высокой точностью и воспроизводимостью за счет отсутствия большого количества высокотемпературных операций после ионного легирования тела резистора и возможности быстро провести контрольный процесс и определить необходимую дозу легирования для конкретной партии пластин, имеющей конкретный размер зерна поликремния. 10 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента