|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| МНОГОСЛОЙНАЯ МАГНИТОРЕЗИСТИВНАЯ НАНОСТРУКТУРА |  |
Номер публикации патента: 2318255 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | G11C011/15 H01C007/00 | | Аналоги изобретения: | RU 2139602 C1, 10.10.1999. RU 2081460 C1, 10.06.1997. US 4751677 A, 14.06.1988. US 2005190620 А, 01.09.2005. ЕР 0317952, 31.05.1989. |
| Имя заявителя: | Физический институт имени П.Н. Лебедева Российской академии наук (RU) | | Изобретатели: | Пудонин Федор Алексеевич (RU)
Болтаев Анатолий Петрович (RU)
Касаткин Сергей Иванович (RU) | | Патентообладатели: | Физический институт имени П.Н. Лебедева Российской академии наук (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к области магнитных микро- и наноэлементов и может быть использовано в датчиках магнитного поля и тока, запоминающих и логических элементах, гальванических развязках и спиновых транзисторах на основе многослойных наноструктур с магниторезистивным (МР) эффектом. Техническим результатом изобретения является получение многослойной МР наноструктуры из магнитных наноостровов, имеющей высокую величину МР эффекта в небольших магнитных полях и обладающей высокой воспроизводимостью м
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента