|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| Резистивный материал |  |
Номер публикации патента: 2004020 |  |
| Имя заявителя: | Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН | | Изобретатели: | Алексеева Галина Тарасовна
Енгалычев Али Эдуардович
Калязин Андрей Евгеньевич
Федоров Михаил Иванович | | Патентообладатели: | Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН |
Реферат | |
Использование: электронная техника, е частности технологии изготовления резистивных материалов , используемых преимущественно для формирования резисторов и резистиеных элементов схем, работающих в диапазоне температур 80 - 1000 К. Сущность изобретения: {нгзиаивный материал содержит дисилицид железа, никель и ванадий , при этом компоненты имеют следующее соотношение , мэс%: никель 5,0 - 52, ванадий 8,7 - 8,8; дисилицид железа остальное Указанное соотношение компонентов обеспечивает уменьшение тем
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента