|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ТЕРМОРЕЗИСТОРА |  |
Номер публикации патента: 94022634 |  |
| Вид документа: | A1 | | Страна публикации: | RU | | Рег. номер заявки: | 94022634 |
|
|
|
| Имя заявителя: | Товарищество с ограниченной ответственностью - Фирмма "Бронкс" | | Изобретатели: | Крячков В.А.
Хряпенков С.Е.
Санжарлинский Н.Г.
Самойлович М |
Реферат | |
Изобретение относится к электронной технике, в частности к полупроводниковым терморезисторам. Технической задачей изобретения является повышение стойкости терморезистора к агрессивным средам. Указанная задача достигается тем, что в способе изготовления полупроводникового терморезистора сначала выращивают термочувствительный элемент из монокристалла синтетического полупроводникового алмаза. Затем на нем, как на затравке, наращивают вокруг всего полупроводникового алмаза тонкий изолирующий слой синтетического диэлектрического алмаза. В последнем выполняют окна и через эти окна к полупроводниковому алмазу присоединяют электрические выводы с образованием высокотемпературных оммических контактов. Дополнительно на слой синтетического диэлектрического алмаза наращивают подогреватель в виде резистивного слоя полупроводникового вырожденного алмаза с электрическими выводами на наружных гранях. В резистивном слое выполняют окна напротив окон в слое диэлектрического алмаза.
|
Поиск патентов