Thin solid films, 1986, v.143, p.91-95. RU 2213383 C2, 27.09.2003. SU 1060933 A1, 15.12.1983. DE 1208394 B, 05.01.1966. DE 1271812 В, 04.07.1968. US 3468011 A, 23.09.1969.
Имя заявителя:
Федеральное государственное унитарное предприятие Омский научно-исследовательский институт приборостроения (ФГУП ОНИИП) (RU)
Изобретатели:
Корж Иван Александрович (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное унитарное предприятие Омский научно-исследовательский институт приборостроения (ФГУП ОНИИП) (RU)
Реферат
Изобретение относится к области тонкопленочной микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении резистивных микросборок, а также мощных резистивных ВЧ аттенюаторов, содержащих низкоомные и высокоомные резисторы. В способе получения высокоомных и низкоомных тонкопленочных резисторов на одной подложке последовательно напыляют на подложку две резистивные пленки, сначала с высоким удельным поверхностным сопротивлением, затем с низким удельным поверхностным сопротивлением, проводниковый слой и последовательно формируют методами фотолитографии сначала низкоомные резисторы, затем высокоомные резисторы - путем селективного химического стравливания низкоомной резистивной пленки с поверхности высокоомной резистивной пленки, в качестве высокоомной и низкоомной резистивной пленки используют один и тот же материал, разделенный промежуточной разделяющей пленкой с удельным поверхностным сопротивлением, превышающим удельное поверхностное сопротивление высокоомной резистивной пленки. В качестве низкоомной и высокоомной резистивной пленки используют пленки тантала или нитрида тантала, а в качестве промежуточной разделяющей пленки используют пленки иттрия. 1 з.п. ф-лы.
Поиск патентов
Получить полное описание патента