US 4110776 А, 29.08.1978. RU 2159475 С2, 20.11.2000. US 5235312 A, 10.08.1993. US 5661332 A, 26.08.1997.
Имя заявителя:
Производственное республиканское унитарное предприятие "Завод полупроводниковых приборов" (BY)
Изобретатели:
Леонов Николай Иванович (BY) Котов Владимир Семенович (BY) Лемешевская Алла Михайловна (BY) Дударь Наталья Леонидовна (BY) Сякерский Валентин Степанович (BY) Емельянов Виктор Андреевич (BY)
Патентообладатели:
Производственное республиканское унитарное предприятие "Завод полупроводниковых приборов" (BY)
Приоритетные данные:
02.08.2007 BY A20070985
Реферат
Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к конструкции высокоомных поликремниевых резисторов, и может быть использовано как в качестве дискретных приборов, так и в качестве элемента при создании больших и сверхбольших интегральных схем различного назначения. Поликремниевый резистор содержит область поликремния на изолирующем ее от подложки и элементов интегральной схемы диэлектрике, высоколегированные области контактов резистора, легированный слой в теле резистора, полученный после формирования металлизации, отожженный при сравнительно низкой температуре (250°С÷850°С) и поэтому имеющий ограниченную глубину, меньшую, чем толщина поликремниевого слоя. Заявляемая конструкция позволяет получать большие поверхностные сопротивления поликремниевых резисторов с высокой точностью за счет того, что легирование тела резистора и отжиг его при сравнительно невысокой температуре проводятся после формирования металлизации, то есть легированный слой тела резистора имеет глубину, меньшую, чем толщина поликремниевого слоя. 6 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента