KIDSZUN M., Huehne R., Holzapfel В., Schultz L. Ion beam-assis led deposition of textured NbN thin films//Supercond.Sci. Technol. 2010. v.23. 025010 6pp. RU 2404470 C1, 20.11.2010. RU 2338280 C1, 10.11.2008. RU 2328548 C2, 10.07.2008. US 2008153709 A1, 26.06.2008. US 2006040830 A1, 23.02.2006. US 2004235670 A1, 25.11.2004.
Имя заявителя:
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук (RU), ООО "РТИ, Криомагнитные системы" (RU), Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Российской академии наук (RU)
Изобретатели:
Михайлова Галина Николаевна (RU) Воронов Валерий Вениаминович (RU) Троицкий Алексей Владимирович (RU) Дидык Александр Юрьевич (RU) Демихов Тимофей Евгеньевич (RU) Суворова Елена Игоревна (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук (RU) ООО "РТИ, Криомагнитные системы" (RU) Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Российской академии наук (RU)
Реферат
Изобретение относится к области сверхпроводимости и нанотехнологий, а именно к способу получения и обработки композитных материалов на основе высокотемпературных сверхпроводников (BTCП), которые могут быть использованы в устройствах передачи электроэнергии, для создания токоограничителей, трансформаторов, мощных магнитных систем. Способ обработки высокотемпературного сверхпроводника, представляющего собой композитную структуру, состоящую из материала подложки с нанесенными на нее буферными слоями из оксидов металлов, слоя сверхпроводящего материала из оксидов металлов, поверх которого нанесен защитный слой из серебра, заключается в облучении указанной структуры ионным пучком тяжелых благородных газов с энергией от 48 до 107 МэВ с флюенсом 2×1010-5×10 10 ионов/см2 и плотностью ионного тока 2,6×10 -8-6,5×10-8 А/см2 при поддержании температуры от 30°С до 100°С, с обеспечением снятия внутренних упругих напряжений в композитной структуре. 3 ил., 1 табл.
Поиск патентов
Получить полное описание патента