RU 2139613 C1, 10.10.1999. RU 2133525 C1, 20.07.1999. RU 2105083 C1, 20.02.1998. US 20060014304 A1, 01.19.2006. JP 2005044636 A, 17.02.2005. JP 2003322822 A, 14.11.2003. JP 2003206134 A, 22.07.2003.
Имя заявителя:
СУМИТОМО ЭЛЕКТРИК ИНДАСТРИЗ, ЛТД. (JP)
Изобретатели:
ХАХАКУРА Судзи (JP) ОХМАЦУ Казуя (JP)
Патентообладатели:
СУМИТОМО ЭЛЕКТРИК ИНДАСТРИЗ, ЛТД. (JP)
Приоритетные данные:
18.05.2006 JP 2006-139262
Реферат
Изобретение относится к сверхпроводящему тонкопленочному материалу и способу получения сверхпроводящего тонкопленочного материала. Предложенный материал имеет высокую сверхпроводимость, которая обеспечивается за счет предотвращения реакции диффузии составных элементов сверхпроводящего слоя. Сверхпроводящий тонкопленочный материал (10) включает подложку (11), промежуточный слой (12) с одним слоем или, по меньшей мере, двумя слоями, сформированными на подложке (11), и сверхпроводящий слой (13), сформированный на промежуточном слое (12). Промежуточный слой (12) имеет толщину не менее 0,4 µм и включает в себя первый слой в виде слоя затравочного материала, второй слой в виде предотвращающего диффузию слоя и третьего слоя в виде согласующего параметры решетки слоя, сформированных на упомянутой подложке. Материал для формирования промежуточного слоя (12) предпочтительно представляет собой оксид, имеющий кристаллическую структуру, по меньшей мере, одного из типа галита, типа флюорита, типа перовскита и типа пирохлора. Техническим результатом изобретения является повышение сверхпроводимости материала. 2 н. и 2 з.п. ф-лы, 5 ил., 1 табл.
Поиск патентов
Получить полное описание патента