US 6541118 B2, 01.04.2003. RU 2186804 C2, 10.08.2002. RU 2170465 C1, 10.07.2001. RU 2107963 С1, 27.03.1998. DE 2905150 А, 31.10.1979. US 5326804 А1, 05.07.1994. WO 2005/038071 А, 28.04.2005. US 5718967 А, 17.02.1998. US 6764616 B1, 20.07.2004.
Имя заявителя:
АББ РИСЕРЧ ЛТД (CH)
Изобретатели:
КЛИФФОРД Штефен (CH) СИНГХ Бандип (CH) КРИВДА Андрей (CH) ШМИДТ Ларс Е. (CH) ГРОЙТЕР Феликс (CH) ШМИД Вероника (CH)
Патентообладатели:
АББ РИСЕРЧ ЛТД (CH)
Реферат
Изобретение относится к системе изоляции. Поверхностно модифицированная система электроизоляции, включающая отвержденную композицию синтетического полимера, содержащую, по меньшей мере, один наполнитель и при необходимости дополнительные добавки, в которой поверхность указанной композиции синтетического полимера модифицирована нанесением тонкого покрытия - указанное тонкое покрытие нанесено плазменно-химическим осаждением из газовой фазы (PECVD) с толщиной в диапазоне от около 50 нм до около 50 мкм; и/или указанное тонкое покрытие нанесено золь-гель процессом с толщиной в диапазоне от около 0,5 микрон до около 2 мм; и в которой указанное тонкое покрытие является неэлектропроводным полимерным материалом с точкой плавления существенно выше точки плавления или температуры разложения синтетической полимерной композиции, содержащей наполнитель; и способ изготовления указанной электрической системы, который включает создание закаленной или отвержденной композиции синтетического полимера, нанесение на поверхность указанной композиции синтетического полимера тонкого покрытия плазменно-химическим осаждением из газовой фазы. 4 н. и 14 з.п. ф-лы, 2 пр., 4 табл.
Поиск патентов
Получить полное описание патента