На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
КОМПОЗИЦИЯ ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ СТЕКЛОВИДНОГО ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА | |
Номер публикации патента: 2096848 | |
Редакция МПК: | 6 | Основные коды МПК: | H01B003/08 | Аналоги изобретения: | 1. Красов В.Г., Петраускас Г.Б., Чернозубов Ю.С. Толстопленочная технология в СВЧ-микроэлектронике. - М: Радио и связь, 1985, с.168. 2. Заявка РСТ/ US 92/10053, кл. B 23 B 9/00, 1993. 3. Авторское свидетельство СССР N 586502, кл.H 01B 3/08, 1977. 4. Авторское свидетельство СССР N 849312, кл.H 01B 3/08, 1981. |
Имя заявителя: | Московский государственный институт электронной техники (технический университет) | Изобретатели: | Петрова В.З. Тельминов А.И. Воробьев В.А. Усманова Р.И. | Патентообладатели: | Московский государственный институт электронной техники (технический университет) |
Реферат | |
Использование: изобретение относится к композициям для получения диэлектрических слоев на основе стекол для ситаллоцементов, преимущественно для толстопленочных ГИС, и может применяться в электронной, радиотехнической и других смежных областях промышленности. Применение композиции обеспечивает повышение термостабильности стекловидных диэлектрических слоев при многократных термообработках без ухудшения их оплавляемости и снижение прогиба толстопленочных структур. Повышение термостабильности диэлектрического материала без ухудшения его оплавляемости достигается за счет того, что порошок наполнителя полностью растворяется в стекловидной матрице при первом цикле вжигания, увеличивая ее кристаллизационную способность, в результате чего фазовый состав и свойства материала при последующих термообработках изменяются незначительно. Дополнительное повышение термостабильности диэлектрического материала может быть достигнуто, если растворение наполнителя в стекловидной матрице приводит к повышению температуры начала деформации остаточной стеклофазы диэлектрического стекла для ситаллоцемента и наполнителя на основе оксида и/или керамики, кварцевого стекла и содержит в пересчете на монолитные стекло и наполнитель стекло и наполнитель в количестве 98,5... 99,5 и 0,5...1,5 об.% соответственно. 3 табл.
|