|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| АКТИВНАЯ ЛАЗЕРНАЯ СРЕДА НА ОСНОВЕ МОНОКРИСТАЛЛА ФТОРИДА ЛИТИЯ С F2 - ЦЕНТРАМИ ОКРАСКИ И СПОСОБ ЕЕ ПОЛУЧЕНИЯ |  |
Номер публикации патента: 1322948 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01S003/16 | | Аналоги изобретения: | Viera N.D. Room temperatura visible laser action of aggregated centep in LiF-MgOH crystals. Phys.Stat.Sol.1982, v.73, N 1, p.-115. |
| Имя заявителя: | Иркутский государственный университет | | Изобретатели: | Мартынович Е.Ф.
Барышников В.И.
Григоров В.А.
Щепина Л |
Реферат | |
Изобретение относится к области квантовой электроники, к лазерам на центрах окраски. Цель изобретения - снижение порога накачки и повышение оптической устойчивости центров окраски. Активная лазерная среда представляет собой монокристалл фторида лития, содержащий F2 - центры. Концентрация F2 - центров в среде в единицах коэффициента оптического поглощения равна 100-700 см-1. Для получения лазерной среды кристаллы фторида лития облучают импульсами электронов. Энергию электронов устанавливают от 0,08 до 0,7 Мэв, поглощенная доза при этом соответствует от 0,7·107. Предложенная среда обладает высокой концентрацией 5,0·107 - центров и низкими потерями, что повышает ресурс работы лазерного элемента и дает возможность создать миниатюрные элементы. 2 с.п. ф-лы, 2 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента