На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЯДЕРНО - ЛЕГИРОВАННОГО КРЕМНИЯ n - ТИПА (ВАРИАНТЫ) | |
Номер публикации патента: 2145128 | |
Редакция МПК: | 7 | Основные коды МПК: | G21G001/06 | Аналоги изобретения: | Греськов И.М. и др. Ядерное легирование полупроводников: Обзорная информация. М.: НИИТЭХИМ, 1982, с.19. Вопросы радиационной технологии полупроводников, Под ред.Л.С.Смирнова - Новосибирск, Наука, 1980, с.280 - 286. FR 2410871 A1, 29.06.79. GB 1530948 A, 01.11.78. US 4042454 A, 16.08.77. |
Имя заявителя: | Закрытое акционерное общество "Эллина-НТ" | Изобретатели: | Прохоров А.М. Петров Г.Н. Лященко Б.Г. Гарусов Ю.В. Шевченко В.Г. | Патентообладатели: | Закрытое акционерное общество "Эллина-НТ" |
Реферат | |
Предложен способ получения ядерно-легированного кремния n-типа, при котором слиток исходного кремния обогащают в N раз стабильным изотопом 30Si и облучают нейтронами. По основной ядерной реакции (n, γ) на стабильном изотопе 30Si, содержащемся в естественной смеси изотопов кремния, получают нужную концентрацию донорной примеси 31P. Затем проводят дезактивацию слитка, его дозиметрический контроль, а также для удаления значительной части радиационных дефектов и стабилизации электрофизических свойств материала - его термический отжиг. Способ может быть реализован в двух вариантах. Согласно первому варианту снижают в N раз норму флюенса нейтронов и, тем самым, во столько же раз концентрацию комплексных радиационных дефектов. Согласно второму варианту сохраняют норму флюенса, установленную для облучения кремния с естественной смесью изотопов, получают в N раз большую концентрацию донорной примеси 31P и соответственно концентрацию носителей заряда. Для уменьшения количества комплексных радиационных дефектов при реализации второго варианта способа с помощью модератора спектра нейтронов уменьшают долю нейтронов высокой энергии. Технический результат заключается в уменьшении числа комплексных радиационных дефектов, не устраняемых пострадиационным термическим отжигом облученного слитка, и улучшении электрофизических свойств кремния. 2 с.п.ф-лы, 1 ил.
|