Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЯДЕРНО - ЛЕГИРОВАННОГО КРЕМНИЯ n - ТИПА (ВАРИАНТЫ)

Номер публикации патента: 2145128

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 98105733 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: G21G001/06    
Аналоги изобретения: Греськов И.М. и др. Ядерное легирование полупроводников: Обзорная информация. М.: НИИТЭХИМ, 1982, с.19. Вопросы радиационной технологии полупроводников, Под ред.Л.С.Смирнова - Новосибирск, Наука, 1980, с.280 - 286. FR 2410871 A1, 29.06.79. GB 1530948 A, 01.11.78. US 4042454 A, 16.08.77. 

Имя заявителя: Закрытое акционерное общество "Эллина-НТ" 
Изобретатели: Прохоров А.М.
Петров Г.Н.
Лященко Б.Г.
Гарусов Ю.В.
Шевченко В.Г. 
Патентообладатели: Закрытое акционерное общество "Эллина-НТ" 

Реферат


Предложен способ получения ядерно-легированного кремния n-типа, при котором слиток исходного кремния обогащают в N раз стабильным изотопом 30Si и облучают нейтронами. По основной ядерной реакции (n, γ) на стабильном изотопе 30Si, содержащемся в естественной смеси изотопов кремния, получают нужную концентрацию донорной примеси 31P. Затем проводят дезактивацию слитка, его дозиметрический контроль, а также для удаления значительной части радиационных дефектов и стабилизации электрофизических свойств материала - его термический отжиг. Способ может быть реализован в двух вариантах. Согласно первому варианту снижают в N раз норму флюенса нейтронов и, тем самым, во столько же раз концентрацию комплексных радиационных дефектов. Согласно второму варианту сохраняют норму флюенса, установленную для облучения кремния с естественной смесью изотопов, получают в N раз большую концентрацию донорной примеси 31P и соответственно концентрацию носителей заряда. Для уменьшения количества комплексных радиационных дефектов при реализации второго варианта способа с помощью модератора спектра нейтронов уменьшают долю нейтронов высокой энергии. Технический результат заключается в уменьшении числа комплексных радиационных дефектов, не устраняемых пострадиационным термическим отжигом облученного слитка, и улучшении электрофизических свойств кремния. 2 с.п.ф-лы, 1 ил.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"