На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО | |
Номер публикации патента: 2134916 | |
Редакция МПК: | 6 | Основные коды МПК: | G11C029/00 | Аналоги изобретения: | US 5056089 A, 08.10.91. US 4937830 A, 26.06.90. US 4706249 A, 10.11.87. US 4878220 A, 31.10.89. Селлерс Ф. Методы обнаружения ошибок в работе ЭЦВМ. - М.: Мир, 1972, с.265 - 268. |
Имя заявителя: | Самсунг Электроникс Ко., Лтд. (KR) | Изобретатели: | Сун-хи Чо (KR) Хьонг-гон Ли (KR) | Патентообладатели: | Самсунг Электроникс Ко., Лтд. (KR) | Приоритетные данные: | 30.07.92 | Номер конвенционной заявки: | 13685/1992 | Страна приоритета: | KR |
Реферат | |
Изобретение относится к полупроводниковому запоминающему устройству, содержащему схему обнаружения и исправления множественных ошибок. Технический результат изобретения заключается в сокращении потребления энергии в процессе доступа к данным в нормальном режиме. Запоминающее устройство состоит из области памяти, разделенной на множество подобластей памяти. Каждая из подобластей имеет как обычные ячейки памяти, так и ячейки для хранения битов четности. Устройство также включает совокупность групп усилителей считывания. Каждая группа усилителей соединена с соответствующей подобластью памяти. В состав устройства входит совокупность схем обнаружения и корректировки ошибок, каждая из которых служит для исправления синдромных битов в составе данных памяти, а также выходные дешифраторы. Каждый из дешифраторов соединен с выходом соответствующей схемы обнаружения и корректировки ошибок. Когда полупроводниковое запоминающее устройство функционирует в нормальном режиме, активизируется только одна из подобластей памяти. Когда устройство функционирует в постраничном режиме, активизируются сразу все подобласти памяти. 1 з.п.ф-лы, 6 ил.
|