|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ |  |
Номер публикации патента: 1135354 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | G11C017/00 | | Аналоги изобретения: | 1. IEEE Transaction on Electron devices, V-26, N 4, 1979, с. 576. 2. IEEE Transaction on Electron devices, V-26, N 6, 1979, с. 906 - 913. |
| Имя заявителя: | Институт физики полупроводников СО АН СССР | | Изобретатели: | Гриценко В.А. |
Реферат | |
Элемент памяти, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости, в приповерхностном слое которой расположены истоковые и стоковые полупроводниковые области второго типа проводимости, на поверхности полупроводниковой подложки первого типа проводимости расположены последовательно слои первого диэлектрика, плавающего затвора, второго диэлектрика и управляющего затвора соответственно, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия элемента памяти, в нем слой первого диэлектрика выполнен из SixGe(1-x)O2 с переменным по толщине составом, где x = 0,23 + 3,7 ·10-3·Z;  расстояние от границы раздела полупроводниковая подложка первого типа проводимости - слой диэлектрика из SixGe(1-x)O2.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента