На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
ФЛЭШ ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ ЭЛЕКТРИЧЕСКИ ПЕРЕПРОГРАММИРУЕМОГО ПОСТОЯННОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА | |
Номер публикации патента: 2357324 | |
Редакция МПК: | 7 | Основные коды МПК: | H01L029/78 G11C016/04 | Аналоги изобретения: | RU 2310929 C1, 20 11.2007. US 2006/0237771 A1, 26.10.2006. US 6849505 B2, 01.02.2005. US 6627494 B2, 30.09.2003. US 7132328 B2, 07.11.2006. RU 2003109077 A, 27.09.2004. RU 2003103143 A, 10.11.2004. SU 1135354 A1, 27.05.1997. |
Имя заявителя: | Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук (RU) | Изобретатели: | Новиков Юрий Николаевич (RU) | Патентообладатели: | Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук (RU) |
Реферат | |
Флэш элемент памяти электрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства предназначен для хранения информации при отключенном питании. На полупроводниковой подложке с истоком и стоком между последними выполнены туннельный слой, дополнительный туннельный слой, запоминающий слой, блокирующий слой и затвор.
|